主题稿

供需缺口拉长与提价预期延展存储芯片盈利周期

存储芯片行业的景气度正在从单一的AI专用内存向通用存储扩散，产品价格上涨的持续时间可能显著超出此前预期。

在高端DRAM领域，供需缺口呈现出长期化趋势。产业测算显示，到2027年，DRAM供应需要增长约50%才能补足缺口，但实际位元增速预计会放缓至20%左右。供给硬约束叠加下一代HBM4单位位元价格可能翻倍的预期，将推动美光科技与SK海力士等核心原厂迈入新一轮阶梯式提价。

与此同时，通用NAND市场的售价展望也迎来了大幅连续上调。最新预测将3Q26、4Q26和1Q27的NAND混合售价环比增幅预期分别抬升至+21%、+17%和+15%，而此前的预期分别为+18%、+2%和0%。这一修正直接打破了市场关于通用存储价格在2026年下半年走平或见顶的判断。

对于芯片制造商来说，HBM4的翻倍预期巩固了高附加值产品的利润水平，而NAND售价预期的持续抬升则带动了更广泛产品线的盈利空间。后续价格兑现程度，仍需取决于原厂扩产节奏与下游终端采购预算的匹配情况。

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