📌 Barreras de fabricación de la transición de la DRAM 3D hacia procesos lógicos
La competencia en memoria avanzada შესაძლოა ya no consista únicamente en perfeccionar los procesos tradicionales de DRAM. SK hynix está explorando el desarrollo de DRAM 3D de próxima generación mediante procesos de fundición de obleas. Si esta dirección se materializa, el centro de gravedad de la capacidad de fabricación se desplazará en parte hacia los procesos lógicos, el talento de ingeniería relacionado y la capacidad de integración de interconexiones avanzadas.
Esta es también la razón por la que esta ruta merece atención. Las inversiones centrales de los fabricantes de memoria en el pasado se centraban principalmente en las celdas de memoria y los procesos de apilamiento; si la DRAM 3D aprovecha en mayor medida las capacidades de fundición lógica, cambiarán las elecciones de equipos, talento y socios. Para quienes cuentan con experiencia acumulada en procesos lógicos, esto podría generar más oportunidades de participar en la fabricación de memoria avanzada; para los fabricantes de memoria, en cambio, significa que los costos de I+D e implementación podrían aumentar, así como la dependencia de la colaboración tecnológica externa.
Pero un cambio en la ruta de proceso no equivale a que la capacidad de producción pueda materializarse rápidamente. CXMT ya ha iniciado la producción piloto de HBM3, con un rendimiento inicial de aproximadamente 25%, y los problemas apuntan a que la tecnología TSV aún no está madura. TSV es un eslabón clave que conecta chips apilados mediante canales verticales. Un rendimiento bajo implica que el mismo volumen de obleas iniciadas difícilmente se transforma en suficientes productos conformes, y que los costos de materiales, equipos y obleas también se diluyen entre un mayor número de productos no conformes.
Por lo tanto, a corto plazo debe distinguirse entre «poder realizar producción piloto» y «poder suministrar de forma estable». Aún faltan divulgaciones originales de las empresas sobre el alcance de adopción de procesos lógicos en la DRAM 3D, el criterio estadístico del rendimiento de CXMT y la velocidad posterior de aumento de producción. Lo que puede confirmarse en esta etapa es que la competencia de fabricación en memoria de gama alta se está extendiendo, y que el rendimiento sigue siendo una restricción rígida que determina el efecto de la expansión de capacidad.
▌ Fuentes